24/06/2019 - 9:44
A tecnologia de materiais vestíveis (wearable, em inglês) está prestes a dar mais um salto com o surgimento de um transistor inovador revestido em uma nanoestrutura cristalina, apresentado na publicação “Advanced Materials” e noticiado na revista “Cosmos”. O dispositivo – um conjunto de fibras duplas de microfibras de eletrodos dentro de uma bainha de semicondutores orgânicos – foi projetado por uma equipe liderada por Soo Jin Kim, do Instituto de Ciência e Tecnologia da Coreia do Sul (Kist, na sigla em inglês).
Nos experimentos, o transistor foi dobrado, torcido e imerso várias vezes em uma solução detergente forte, mas continuou a funcionar sem maiores problemas. Os pesquisadores consideram que o artefato pode ser facilmente incorporado aos têxteis e terá comportamento idêntico ao do tecido das roupas.
O transistor dos coreanos poderá solucionar um dos obstáculos atuais da tecnologia vestível: ela ainda depende de componentes eletrônicos removíveis, para que se evite que o sistema falhe e/ou o usuário seja eletrocutado.
“Os resultados deste estudo apontam para uma nova estrutura de dispositivo que pode superar as limitações dos atuais têxteis eletrônicos, incluindo baixa corrente, alta voltagem de ativação e baixa resiliência à lavagem”, afirma o coautor Jung-ah Lim no artigo. “Esperamos que o nosso estudo contribua para o desenvolvimento de produtos vestíveis ainda mais inteligentes no futuro, incluindo computadores vestíveis da próxima geração e roupas inteligentes que possam monitorar os sinais vitais.”
